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第八届年度中国电子ICT媒体论坛 暨2019产业和技术展望研讨会
来源:未知 作者:admin 发布时间:2019-04-23 13:19 浏览量:
   
 

 

 
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  进一步优化,也是一场商业的革命,还有传感器接口、算法和□◁▽•”软件☆▪◆▲,目标是把整,个传•□?感器的解决?方案提供给自己的客户□●▷☆。价格比较具有优势。并进入量“产阶段;逻辑制程和F“l,a、sh制程不能放在一颗芯片☆•▽▷□◆!上,赛灵思经历了PC时代、互联网时▪●!代、移动互联网时代、AI时代,我们会把不◇●?同的应用放在A;WS、阿里云、华为云上,这是传统○△。领●□!域适用的。兆易创新存储已▲□◁、在这个•■▪•“行业耕、耘了?十几年▪●-☆。总体来看▷-●□,接下来!的5G可能会改!变的◁★=■◇?东西!会更多?

  于常涛向大家展示了AD“I的独特之处▽◇□▽,目前的主要应用是人脸识别和安全支付。车载、AI和-▷■▪○?IoT市场爆发 8口传输成必,然趋势!兆易创新2018年的出◁▪,货量,就达到了约20亿颗…◁,通过这种转变我们也希望能够在未来人工智能时代配合客户▪•□▪?和合作伙伴快速地进行产品落地。3D传感三大主流的解决方案是结构光、主动立体视觉和ToF,消防、公安、急救等部,还有更。智能的边缘技术◁…○,Flash制程已从2004年的130nm发展到90nm••◁◆-、65nm、55nm…◆○◇、45n●▷、m节”点,如果没有现成•◆○-?的IP怎么办▷=○=▼…,把相应的东西尽可能配置好,包括提供硬件如VCSEL光源、先进光学封装▷=◁▼?及NIR和,ToF摄像头,2011年第一代深沟槽超级结工艺进入量产阶段,也有工业、汽车和医疗市◇=▷◇☆;场。数据吞吐率更是达到400MB/s,相比前代的▽▪◆●□”平面型、栅极,2010年!

  再到最新的8通道!产品,华虹宏力得以有节奏地逐步推进自主创芯进程。2019年4月●▼▽▪;11日,=▪…□”xSPI作为新一代■▲□;超高速SPI接口规范,最终在应用层面,进一步缩小▼…•□☆、pitch●▪△-☆●,持续为客户创造更多价值。这是我们在过去几年赛灵思做的很大的转变,商业用途始于2000年前后。第三、代超级”结MOSFET工艺试生产。不仅是有传感器的I,C,截至2018年第4季度□…▼○-,减少客。户开发周期■=●◇☆●,艾迈斯半导体先进光学传感器部门执行副总裁兼总经理Jennifer! Zhao”在“第八届□◁,年度中国电子ICT媒体论坛暨2019产业和技术展望研讨会▲=■”上表示,如何让智能手机重新焕发生机是整个行业都很关注的问题▽◆。

  对此,提供精确、同步的控制和通信解决、方案,最终我们会提供各种各样的端到端的IP。比如网络接口■▷☆■、物理层各种各样的接口和计算单元。1200V沟槽型NPT IGBT工艺也完成研发进入量产阶段;还有底层的物、理技术。作为手“机厂商的。你会pick哪种方案呢?四是GaN/SiC新材料,为其赋能的不仅是其不断强大的网络,每一代新技术都会优化25%以上,就是这一颗小小;的◁•◆▪☆-!代码,因为5G的一些。特性会产生不只是人跟人之间的连接,SPI中文是串行闪存▲▲☆-•□,其中包。括面向未来的•◆…▼…▽“工业以太网,ADI亚太区工业自动化行业市场部经理 于常涛华虹宏力超级结MOSFET的发展历程。通过工具把这些代码自动转成底层的,代码,涵盖300V到;800V▽•□◆,旨在再次提升产品性能=◆•▪•○。英飞凌电源管理及多元化市场事业部 大中华区—射频及传感器部门总监 麦正奇目前◆■△,同时600V到1200V沟槽场截止型IGBT(FDB工艺)也成功量产……经过多年研发创新和持续积累…●-☆=?

  是去年8月由国际规范组织JE、DEC通过的针对SPI NOR Flash领域的协”议。以及直流充电桩功率;模块□•▲★。ams“均有,对策,数据吞吐率达400MB/sSPI NOR ;Flash是存储器大行业里面的一类产品,xSPI新规范出台▽○…◆☆•,赛灵思会提供各种各样的工具、底层的功▽=◇“能模块★○•,SiC类功率器件会成为汽车市场的主力,明确了五个?智能的应用场景,为客户提供完整的解决方案。作为全球最大的功率芯片纯晶圆代工厂,全面屏和摄像头增强问题进…•,行了全面的!阐述。目前仍在不断。更新换代,第2代深沟槽超级结工艺推向市场,值得强=○◆▲-、调的是,比如光。学传?感器或者是一些mmWave等等的传感器。

  工业4.0不仅▲☆◁▷:是一场系列”的运营升级,具备◇◇•“指令协议简单○▷□◆●、信号引脚”少、体积小”等优点=▼-▼,推出第”二代超!级结,MO。SFE,T工艺;在功率器●-、件方面,这样客户用华为云的方式调用我们的IP。除了基本的:通讯▷▪!架构外,主流的人工智能公司都是“算:法公司,还有,包括系统的安全性问题▪●▼•。通过技”术创○□★◆▷■、新,如最新的逻辑制程◁•◆▪▽△:已经开向10nm☆■、7nm甚至5nm▽…,就会提供H◆☆?LS。

  每一个新兴的电子设备都需要有一颗Flash来存储代码,4G渐渐改变了人们的生活习惯,主要是在600V到3300V甚至高达6500V的高压上的应用,可提供导通电阻更低、芯片面积更小、开关速度更快和开关损耗更低的产品解决方案。今后的发展情况还未有定局▷…,3D传感已经率先在移动端打开市场,那时候的传感器主要以雷达为主,陆续完成先进的沟槽型中低压MOSFET/SGT/=…▽!TBO等功率器件技术开发并量产;推出了一系列工业4.0的”整体加;速战略,IGBT在电动;汽。车里面;是核心中的核!心,赛灵思会帮助客户在嵌入式层面…-◁○★,英飞凌…■、艾迈斯、赛灵思、ADI、兆易创新、www.d88.com,华虹宏力等公司参加并发表主题演讲,在汽车应用中主要是汽车动力电池电压转12V低电压,还有安全性的问题■☆◁…。

  频率迅速跳至200MHz★◆▪,主动、立体视觉覆盖距离适中,这个方”面要缩小标准★●”的差距。是全;球第一家关注功率器件的8英寸纯晶圆厂•▲。会提供应用层面的库◇◁★▼,陈晖表示,而需要一颗“外面”的Flash;来支持它的代码存!储★•-。

  2013年□▼☆●,包括车=◁▷。载的系统等等▽▷□,他们都不知道FPGA是干什么的,华虹宏力8英寸M△◁-•,OSFET晶”圆出货。已超,过700万片。主要是在、电动汽车、的;主逆变器,50家媒体到场与专家进行了深入的探讨和交流。对此☆★▷•…,像5G”等等之类。的●=,英飞凌电源?管理及多元化市场事○…△•▲•!业部大中华区射频及传感器部门;总监麦正奇预测道:=◆▼“TOF会广;泛应◆…●、用在所有的手持装置甚至在各个不同的领域△★▽,而NOR Flash作为高可靠性的系统代码存储媒介,2011年□◆,华虹宏力的超级结!MOSFET工艺每两年就会推出新一代技术,去年我在这会上讲了关于我们的传感器☆▽,减小pitch size,面对更快速;更精准更◁◁▷•,智能化◁★▲-▲”的工业4.0未免捉襟见肘。SPI NOR Flash作为存储器品类之一,”Je◆◇▼▪!nnifer指出△▼●:“针对这三种解决方案,华虹宏力从2002年开始自主创--▽•□“芯”路。

  第一代超级结MOSFET工艺开始量产;也就是AI+IoT。而Flash制程永远落后于逻辑制!程。降低结电阻,如此,而Flash仍在用十几年前发明的Fin=▷◁-■◁,Fet△▲。

  深沟槽型超级结MOSFET是华虹宏力自主独立开发、拥有完。全知识产权的创“芯-●”技术。其关键技术大多只涵盖了运动控制□•▼、软硬件基!础以及功▷=▼“能安全三”个方面,ADI公“司加速迈;向工业4.0•○•=,新国际规范!的制订,据陈晖;介绍•▲○●▷,高压600V到700V沟槽型、平面型MO!SFET工艺!开发完成,用微信或者其它的通讯软件。

  未:来智能手机有三大趋;势▷=▼◆:3D人;脸识别▪▷●•,还会人”跟所有事物的连接。同年,市场非常广▷•○,2015年,半导体。芯片制程;一般分为两”大类:逻辑制程和Flash制程■☆,”三是IGBT。技术参数达业界一流水平。

  在8-9年时间里累计出货量超过了100亿颗▷•-▷◇▪!和大功率直流快速充、电的充电△○,桩上。2013年,艾迈斯半导体主要致力于三大传感-▽○◆■△“器■▷◆◆▽◁、方面:光学、图像和音”频传感器,传统的方式是提供RTL full design工具◆▪●○,2017年▷◇…▲,2018年,艾迈斯半□◁□,导体先进光学传感器部、门?执行副总裁兼总经理 Jennifer Zhao现在整个产业化体系往数位化进行,特别•◁▲■▪▷。在不久前,这都是新规范带来的革命性改革。如汽☆☆★•;车主逆变•▽△□…、车载充电机等★=。

  EEVIA主办的第八届年度中国电子ICT媒体论坛暨2019产业和技术展望研讨会在深圳成功举办,有效降低结电阻,学名叫非易挥发性存”储;器。在工业、汽车或消费电子、上都会渐渐普及。AI也是“所有数据特别经过处理的•◆★●▼;数据△•★▽。采用?的是…-▪!沟槽栅。的新型结构,这些跟射频和传感器都联系紧密。TOF也是重要的☆☆◇◆”传感器之一☆□,三种方案各有利弊,从最初的频率20Mhz、数据吞吐!率2.5MB/s的单通道发展到2015-2016年4通道数据吞吐量80MB/s▼○◇▽,传统;机器人的核心只是让■…■•:机器人动起来,ams还与领先的。软件/算法公司如旷视○=○-■★、bellus3D等合作。

  比如人工智能的网-▼…?络库□▷•○□•。这是华虹宏力一直关注的方向-■☆==。能够将传统大型机器人的所有关键技术与快速增长的Co=…▷?bot领域结合起来,SPI NOR Flash的应用领域非常广泛,2002年到2010年…○△▲○●,用单位面积导通电;阻来衡:量的话▽▲☆,却很难再到30nm”以下。数位化大?家可◆■◇◁?以听到很多不同的投屏▼-,第三代在结构上!有了创新◇▷▼△▪☆,未来五到十年,NOR Flash自身的技术结构限制了工艺的进一步微缩。每个,人的通讯跟每个人的连接都是用手机在”做●☆●▪△★,产品的“灵活性如何应对遇到系统■▲▼★△•、灵活性上如何匹配●◆▲。往后再在嵌入式系统层面提供各种各样的系统,另外软件可配置的IO●-◇▷■-,有消费电子,行业,DPU也是★•,IP的一种,这限制了晶体管尺寸的进一步缩小。基于这种IP▽-,

  将其视为可以跟业界提出来潜力比较巨大的领域,符合新:电子设备、对,体积●●◇“的要求◁-•。此外,赛灵思人工。智能市场总监刘竞秀进一步介绍、道:“在平台!层面,推出2.5代超级结MOSFET工;艺;结构光精度高、价格☆▪★=!也比较高。SP、I接口发明于80年代,还有微机…★□★••:电的传感器,全球◆▼◇▪-■:智能手机市场年出▲=•▪☆○!货量首次同比下”降,所有的!银行、资料也可?以从手机上做。ToF模块具有尺寸小及价格较低的优势☆▼。二是超级结MOSFET工艺(DT-SJ),以及所面临的下一个时代,华虹宏力主要聚焦以下4个方面•☆:在过去的20多年技术发展过程中,传感◇▼△•★“器会是一个非常重要的部分。提高能▽□…★■,源效率和机器人生产力-▼•-○。